AMD et IBM présentent leurs résultats de lithogravure 45 nm

Le par  |  0 commentaire(s)
AMD logo (Small)

A l’occasion du forum IEDM (International Electron Device Meeting), IBM et AMD ont présenté leur projet portant sur l’utilisation d’une lithogravure en immersion, des diélectriques d’interconnexion « ultra-low k » et de plusieurs technologies de contrainte de transistors perfectionnées destinées à la fabrication de microprocesseurs en traits de 45 nm.

Amd logo smallA l’occasion du forum IEDM (International Electron Device Meeting), IBM et AMD ont présenté leur projet portant sur l’utilisation d’une lithogravure en immersion, des diélectriques d’interconnexion « ultra-low k » et de plusieurs technologies de contrainte de transistors perfectionnées destinées à la fabrication de microprocesseurs en traits de 45 nm.


Technologie presque prête
Selon AMD et IBM, les premiers produits réalisés dans cette technologie devraient être disponibles d’ici mi-2008.

" Nous sommes les premiers fabricants de microprocesseurs à annoncer l’utilisation des techniques de lithogravure en immersion et de diélectriques d’interconnexion 'ultra-low k' pour la technologie de 45 nm et demeurons à ce titre à la pointe de l’innovation pour la technologie de fabrication de microprocesseurs ", confie Nick Kepler, Vice-président de la branche Logic Technology Development d’AMD.

Il continue en expliquant que " La lithogravure en immersion nous permet d’améliorer la définition de la conception des microprocesseurs et d’homogénéiser leur fabrication, ce qui nous permettra de fournir à nos clients des produits extrêmement sophistiqués. Les diélectriques d’interconnexion 'ultra-low k' amélioreront le rapport performances/watt dont bénéficient nos microprocesseurs et l’ensemble de nos clients. Cette annonce confirme un partenariat fort, noué entre IBM et AMD dans le domaine de la recherche et du développement ».

Rappelons que la technologie actuelle de fabrication est un procédé de lithogravure classique, extrêmement limité dans la définition du design des microprocesseurs au-delà de 65 nm.

La lithogravure en immersion utilise quant à elle un liquide transparent pour remplir les espaces entre la lentille optique de projection utilisée dans le système de lithogravure à répétition (step-and-repeat) et la tranche de silicium qui contient des centaines de microprocesseurs.

Cette percée majeure dans le domaine de la lithogravure assure une précision accrue et une fidélité d’image supérieure qui améliorent les performances du circuit et de la productivité. Cette technique d’immersion apportera à AMD et IBM des avantages en termes de fabrication par rapport aux entreprises concurrentes qui n'ont pas encore développé de processus de lithogravure en immersion opérationnel.

 
IbmQuestion de finesse
De plus, selon le communiqué de presse d'AMD, l’utilisation de diélectriques poreux 'ultra-low k' réduit la capacité des interconnexions et le délai de transport des électrons, ce qui constitue une étape majeure pour l’amélioration des performances des microprocesseurs, ainsi que pour réduire la dissipation de puissance.

Cette amélioration est obtenue grâce à l’intégration du processus en question, qui réduit la constante diélectrique des diélectriques d’interconnexion tout en maintenant sa résistance mécanique. L’utilisation d’interconnexions 'ultra-low k' permet de réduire de 15% les délais de transport des électrons par rapport aux diélectriques 'low k' classiques.

Les progrès permanents enregistrés par les techniques de contrainte de transistors d’AMD et d’IBM ont permis d’améliorer de façon régulière les performances des transistors tout en surmontant les problèmes d’évolutivité liés aux géométries utilisées lors de la migration vers les filières de 45 nm.

Malgré l’augmentation de la densité des transistors de génération 45 nm, IBM et AMD ont enregistré une augmentation des contrôles possibles sur les transistors nouveaux, par rapport aux transistors non contraints. Ce résultat assure les performances CMOS les plus élevées obtenues à ce jour en matière de gravure à 45 nm. 

IBM et AMD collaborent au développement de technologies de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération depuis janvier 2003. En novembre 2005, les deux sociétés ont annoncé l’extension de leur programme de développement en collaboration jusqu’à 2011, englobant les technologies de fabrication en 32 et 22 nm.
Complément d'information

Vos commentaires

Gagnez chaque mois un abonnement Premium avec GNT : Inscrivez-vous !
Suivre les commentaires
Poster un commentaire
Anonyme
:) ;) :D ^^ 8) :| :lol: :p :-/ :o :w00t: :roll: :( :cry: :facepalm:
:andy: :annoyed: :bandit: :alien: :ninja: :agent: :doh: :@ :sick: :kiss: :love: :sleep: :whistle: =]