Samsung investit dans la mémoire flash aux USA

Samsung, fabricant d'électronique grand public d'origine sud-coréenne, a très récemment annoncé un investissement important dans le secteur de la mémoire flash NAND, marché où se positionne actuellement en tant que numéro 1.


3,5 milliards de dollars pour son usine Texas
D'ici 2008, Samsung injectera 3,5 milliards de dollars, soit près de 2,63 milliards d'euros, dans son usine située au Texas, aux États-Unis. Seule usine installée en dehors de ses frontières, elle ne produit que des mémoires DRAM pour le moment. La production de mémoire flash NAND débutera dès le second semestre de cette année. Samsung espère voir sa production mensuelle atteindre les 60 000 galettes de silicium ( ou wafers ).

Tout comme ses principaux concurrents, Hynix et Toshiba, Samsung commence à ralentir sérieusement ses investissements dans le secteur de la mémoire DRAM, marché où il est également numéro 1 mais qui devient de moins en moins rentable, pour se recentrer sur la mémoire flash NAND dont les marges sont bien plus importantes. Un choix qui se comprend assez aisément.