IBM prépare la mémoire à changement de phase

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Le principe de la mémoire à changement de phase (en anglais Phase-Change Memory ou PCM, ou encore PRAM) est connu depuis le début des années 70, mais les premiers travaux en vue d'une commercialisation datent de 1999-2000.

Le principe de la mémoire à changement de phase (en anglais Phase-Change Memory ou PCM, ou encore PRAM) est connu depuis le début des années 70, mais les premiers travaux en vue d'une commercialisation datent de 1999-2000.


Un avenir de la mémoire non volatile
Des chercheurs d'IBM, Macronix et Qimonda ont annoncé avoir développé un matériau capable de changer son état (correspondant à 0 ou 1) 500 à 1000 fois plus vite que de la mémoire Flash, tout en consommant deux fois moins d'énergie.

Cette technologie permettra de combiner hautes performances et volumes réduits, et de créer ainsi de nouveaux ordinateurs plus puissants et plus petits.

Le résultat repose sur un alliage de semi-conducteurs conçu en collaboration dans le laboratoire d'IBM dans la Silicon Valley, en Californie. En codant les états binaires 0 et 1 sous une forme cristalline ou amorphe selon la température appliquée, le matériau permet de conserver ces états en l'absence de courant électrique et se montre plus résistant que la mémoire Flash concernant les cycles de réécritures de données.


Encore quelques années...
La mémoire à changement de phase ouvre des perspectives intéressantes en tant que successeur de la mémoire Flash, mais en est encore au stade expérimental, et il faudra de longues années avant de voir les premiers appareils l'utilisant.

Cependant elle ouvre une voie vers une miniaturisation au-delà des possibilités physiques de la mémoire Flash.

Samsung, ainsi qu'Intel et STMicroelectronics ont également présenté des prototypes en septembre et octobre 2006, mais là aussi la commercialisation prendra plusieurs années.
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