IBM et TDK partenaires pour développer de la MRAM

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IBM

Les mémoires magnétiques MRAM sont au coeur du projet de développement conjoint mené par les sociétés IBM et TDK.

IbmLa mémoire magnétique MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) représente l'évolution future de la mémoire non volatile dans les ordinateurs et appareils mobiles de demain. Les données n'y sont plus codées sous forme de charge électrique mais sous forme de charge magnétique, en modifiant le spin des électrons.

Plus compacte, plus rapide, plus résistante et de nature non volatile, la MRAM représente un enjeu de taille pour le marché des mémoires que les sociétés IBM et TDK ne veulent pas manquer. Elles vont mettre en commun leur savoir-faire dans les domaines de la recherche fondamentale afin d'obtenir des circuits intégrés MRAM de haute densité.

" Cette collaboration confirme la volonté d' IBM d'explorer de nouveaux modèles pour les applications mémoire ", indique le Dr Chen, vice président de la branche Science et Technologie d' IBM Research. " Le projet va se concentrer sur la création de matériaux performants adaptés aux besoins du design de modules mémoire. "


Synergie de savoir-faire
Logo tdkIBM et TDK ont déjà une expérience conséquente dans le développement de la mémoire MRAM et de l'effet tunnel électronique qui assure le changement de spin magnétique des électrons, à la base du mécanisme de codage des informations de ce type de mémoire. Les deux sociétés disposent de plusieurs brevets dans la conception de ces systèmes et ont travaillé sur les matériaux nécessaires à l'enregistrement magnétique des données.

Le projet de recherche sera mené dans les Centres TJ Watson, dans l'état de New York, d'Almaden en Californie, de l' ASIC Design Center de Burlington du côté d'IBM et dans le centre R&D de Milpitas, en Californie, pour TDK.

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