Présentés dans la revue scientifique ACS Nano, ce sont des travaux particulièrement intéressants qui ont été révélés par un groupe de chercheurs du Massachusetts Institute of Technology ( MIT ).
Les cinq scientifiques qui forment l’équipe ( Ray Ashoori, Andrea Young, Ben Hunt, Javier Sanchez-Yamagishi et Pablo Jarillo-Herrero sur la photographie ci-dessous ) sont en effet parvenus à créer un wafer de 75 millimètres de graphène blanc.
Combinant une couche de graphène connu pour faciliter la circulation des électrons et une couche de nitrure de bore hexagonal réputé pour ses propriétés isolantes, grâce à deux structures très proches en forme de nid d’abeille, ce matériau hybride a déjà fait l’objet de recherches et se révèle idéal pour la conception des transistors présents dans nos appareils électriques, bien plus adaptée en tout cas que le dioxyde de silicium.
L'équipe de chercheurs ( cliquer pour agrandir )
La nouveauté ici, c’est la possibilité d’en disposer d’un grand nombre sur un seul wafer. En d’autres mots, c’est le processus de fabrication qui a été optimisé. En travaillant sur les formes des atomes, il a été possible de placer au mieux chacun des atomes, de manière à obtenir un alignement très intéressant des atomes ( parfait 1 fois sur 15, alors que le deuxième est 1,8 fois plus gros que le premier ).
Prochaine étape des recherches : la production d’un circuit imprimé sur un wafer et la révolution dans nos appareils high-tech.
