
La mémoire à changement de phase ou
PRAM (
Phase-change Random Access Memory ) est un peu le Graal de la mémoire non volatile avec des temps d'accès beaucoup plus rapide que la mémoire Flash actuelle et une consommation d'énergie moindre.
Selon une rumeur issue d'un analyste du cabinet d'études
Objective Analysis et parue sur
EE Times, le premier fabricant de mobiles mondial Nokia serait en train d'évaluer des échantillons de PRAM pour une utilisation dans ses terminaux mobiles de prochaine génération.
PRAM SamsungPlusieurs fournisseurs possiblesPlusieurs sociétés, dont
Samsung,
Intel et
STMicroelectronics, sont cités parmi les fournisseurs potentiels, car disposant d'exemplaires de pré-série. D'autre part, Intel et STMicroelectronics ont récemment créé une
nouvelle entité de production de mémoire non volatile NOR mais qui pourrait bien servir également à la production de mémoire de changement de phase.
Intel a annoncé au mois d'avril 2007 la fourniture d'échantillons de
PRAM 16 Mo gravée en 90 nm et prévoit le lancement d'une production de masse pour la fin de l'année. Ed Doller, directeur technique pour la division Mémoire non volatile d'Intel, a précisé que ces échantillons préparent le remplacement de la mémoire NOR actuellement employée, voire de celui de la mémoire NAND.