Les derniers trimestres ont vu un certain nombre de changements dans l'industrie des semiconducteurs. Les grands fondeurs ont eu tendance à s'échanger leurs clients, amenant Apple à se tourner exclusivement vers TSMC pour son SoC Apple A10 Fusion gravé en 16 nm, tandis que Samsung a récupéré Qualcomm pour la production des SoC SnapDragon 820 gravés en 14 nm, alors que le groupe américain a été un client régulier de TSMC ces dernières années.
En 2017, c'est le noeud de gravure 10 nm qui sera exploité sur les processeurs haut de gamme et Samsung comme TSMC seront une nouvelle fois en mesure de proposer ce noeud de gravure à peu près au même moment.
Selon des informations du site ET News, le SoC de prochaine génération SnapDragon 830 de Qualcomm, qui doit être gravé en 10 nm, sera une nouvelle fois produit par Samsung LSI, la filiale semiconducteur du géant coréen.
Ce dernier devrait de nouveau proposer plusieurs variantes de son futur smartphone Galaxy S8 l'an prochain, certains modèles proposant un SoC maison Exynos 8895 (gravé en 10 nm) tandis que d'autres auront droit au SoC SnapDragon 830, selon un scénario similaire à ce qui s'est passé pour les Galaxy S7 / S7 Edge cette année.
Les deux SoC pourraient profiter d'une technologie dite FoPLP (Fan-out Panel Level Package) réduisant les coûts de production et permettant d'affiner la plate-forme intégrée.
