Utilisant un contrôleur UBX et une mémoire flash NAND MLC, celui-ci annonce des pointes à 1 500 Mo/s en écriture séquentielle, 2 500 Mo/s en lecture séquentielle, 110 000 IOPS en écriture aléatoire 4K et 300 000 IOPS en lecture aléatoire 4K. Il profite par ailleurs d’un chiffrement AES 256-bit pour les données qu’il abrite.
Deux capacités de 256 et 512 Go ont été annoncées pour le mois d’octobre avec des prix respectifs de 199,99 et 349,99 dollars, ce qui devrait donner aux alentours de 200 et 350 euros une fois chez nous. La première profitera d’une endurance de 200 To en écriture et la seconde de 400 To en écriture.
Toujours concernant les SSD chez Samsung, rappelons qu'on évoque déjà l'idée d'un modèle 16 To.
