Avec les nouvelles connectivités sans fil et cellulaires offrant des capacités plus importantes et les fonctionnalités plus gourmandes en mémoire, de l'enregistrement vidéo en 4K au stockage de fichiers toujours plus volumineux, les smartphones vont nécessiter des capacités plus importantes mais aussi des performances plus élevées pour réduire les temps d'accès et de transfert.
Après avoir annoncé au début de l'année le lancement de la production de modules eUFS 2.1 de 1 To, Samsung, leader mondial des composants mémoire, annonce maintenant la mise en production de modules V-NAND (NAND 3D) de 512 Go en eUFS 3.0.
La promesse est de doubler les performances par rapport à l'eUFS 2.1 et d'apporter "une vitesse de lecture qui n'était possible que sur les ultraportables". Et déjà, Samsung se dit en mesure de produire des modules 1 To en eUFS 3.0 plus tard dans l'année.
Les modules intègrent 8 dies de V-NAND de 5ème génération de 512 Gb (64 Go) avec une vitesse de lecture séquentielle de 2100 Mbps doublée par rapport à l'eUFS 2.1, plus rapide qu'un disque SSD et plus de 20 fois plus performante qu'une carte microSD standard.
En lecture / écriture aléatoire, la progression est d'un tiers par rapport à l'eUFS 2.1, avec respectivement avec 63 000 et 68 000 IOPS, très loin des 100 IOPS des cartes microSD et permettant d'offrir une réactivité totale. Bientôt dans le Galaxy Note 10 du second semestre ?
