Après l'Exynos 7420 pour tous ses smartphones haut de gamme en 2015, le groupe Samsung va revenir à une double configuration en 2016, en exploitant d'une part le SoC SnapDragon 820 de Qualcomm et d'autre part un Exynos 8890 qui embarquera des coeurs M1 et un modem spécifiques conçus en interne.
Ce modem, gravé en 14 nm FinFET, ne devrait pas être en reste par rapport à celui du SnapDragon 820 puisque le Business Korea suggère qu'il exploitera une triple agrégation de porteuses pour faire grimper les débits descendants jusqu'à 600 Mbps, une modulation de signal 256 QAM et la gestion du LTE Cat 11 (contre LTE Cat 12 pour SnapDragon 820).
La publication coréenne indique également que Samsung a mené des tests en interne pour comparer les performances des deux SoC (ce qu'on a pu constater dans les fuites régulières par les benchmarks) et que le groupe a travaillé dur pour résoudre toutes les questions de dégagement thermique, de la modification de la microarchitecture des coeurs Kryo à l'utilisation en dernier recours d'un refroidissement passif.
Pas question en tous les cas de risquer de se retrouver avec les problèmes du SnapDragon 810 en début d'année 2015, d'autant plus que cette fois, c'est Samsung qui doit produire les SoC de Qualcomm, au lieu de TSMC.
Pour le groupe américain, déjà amené à réduire 15% de ses effectifs à la suite des déboires du SnapDragon 810, un échec du SnapDragon 820 est impensable et conduirait sans doute à une scission de l'entreprise visant à se débarrasser de l'activité de conception de puces mobiles pour ne garder que celle de la gestion de sa propriété intellectuelle.
Le Business Korea évoque également la répartition des deux variantes. Le Galaxy S7 sous SnapDragon 820 serait réservé aux Etats-Unis et à la Chine, tandis que la version avec Exynos 8890 concernerait la Corée du Sud, l'Europe et le reste de l'Asie.
