Samsung : finesse de gravure de 40nm pour la memoire flash

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Samsung conserve une place plutôt confortable sur le marché de la mémoire NAND flash avec 46,2 % du marché au second semestre 2006 selon le cabinet d'analyse Isuppli.

Logo samsungSamsung conserve une place plutôt confortable sur le marché de la mémoire NAND flash avec 46,2 % du marché au second semestre 2006 selon le cabinet d'analyse Isuppli. Le fabricant coréen poursuit le développement de cette technologie afin d'étendre son utilisation au delà des lecteurs MP3 et des cartes mémoires. La capacité des clés USB actuelles culmine à 16 Go, mais Samsung estime qu'elle pourrait dépasser les 100Go à l'avenir.

La société a aujourd'hui annoncé la sortie des premières puces de 32 Gb gravée en 40 nm. Grâce à ces nouvelles puces les constructeurs pourront offrir des cartes mémoires SD ou Compact Flash de 64 Go. Pour permettre une telle amélioration des capacités, Samsung utilisera une nouvelle approche appelée « charge trap technology ». Celle-ci permettra la fabrication de puces de 256 Gb utilisant une finesse de gravure de 20 nm. La technologie actuelle, introduite en 1989 par Toshiba, ne permettrait d'atteindre qu'une finesse de gravure de 50 nm pour des puces de 16 Gb.

La mémoire NAND Flash est aujourd'hui utilisée lorsque les données doivent être écrites sur la puce. Elles est par exemple employée dans les appareils photos numériques, les clés USB et les lecteurs MP3 comme l'Ipod Nano. Samsung espère également généraliser son utilisation au coeur des Pcs avec la sortie de Windows Vista. En effet, le prochain système d'exploitation de Microsoft saura tirer parti de la mémoire flash au sein des disques durs hybrides. L'utilisation d'une finesse de gravure de 20nm pourrait également ouvrir la voie à des lecteurs MP3 et cartes mémoires de 128, voire 256 Go d'ici à la fin de la décennie.

Lorsque l'on doit uniquement accéder aux données en lecture, on utilise de la mémoire NOR Flash. Ce type de mémoire devrait atteindre ses limites dans un délai encore plus court que la mémoire NAND. Samsung est persuadé qu'une nouvelle technologie devrait remplacer la mémoire NOR sous dix ans et la firme coréenne parie sur la Phase-change Random Access Memory (PRAM). Selon elle, la PRAM est environ 30 fois plus rapide que la NOR et offre 10 fois plus de cycles de lecture/écriture. Les premiers produits basés sur cette technologie sont attendus pour 2008 sous la forme de puces de 512 Mb.

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