Et si Samsung avait annoncé en début d'année 2015 le lancement de modules UFS 2.0 128 Go, le groupe passe maintenant à la production de modules mémoire UFS 2.0 de 256 Go que l'on pourra retrouver dans de futurs produits mobiles haut de gamme.
Ces modules mémoire sont deux fois plus rapides qu'un disque SSD SATA standard pour PC, affirme le géant coréen, et ils exploitent des puces V-NAND associées à un contrôleur spécifique, permettant de traiter jusqu'à 45 000 IOPS (Input/Output Operations per Second) en lecture et jusqu'à 40 000 IOPS en écriture, contre 19 000 IOPS et 14 000 IOPS pour la génération UFS précédente.
La nouvelle mémoire revendique des vitesses de lecture grimpant jusqu'à 850 Mbps et d'écriture de 260 Mbps, soit trois plus qu'avec une carte microSD. De quoi répondre aux nouveaux usages comme l'enregistrement et la lecture de vidéos en 4K / UHD et de gérer du multitâche sans constater aucun ralentissement.
