Après le groupe californien Micron Technology au mois de mai dernier, c’est au tour du groupe sud-coréen Samsung d’annoncer des modules de mémoire vive DDR4 fonctionnels.

Récemment envoyés aux partenaires en vue de tests de validation, les échantillons proposent 16 Go, acceptent une fréquence de 2 133 MHz et utilisent une gravure 30 nanomètres.

Lorsqu’interviendra la distribution à grande échelle, il sera question de barrettes de 8, 16 et 32 Go avec une finesse de gravure à 20 nanomètres.

Plus rapide, cette mémoire vive nouvelle génération se révèlera également moins énergivore, avec une tension de 1,2 Volt contre 1,35 Volt pour la mémoire DDR3. La consommation d’énergie sera réduite d’environ 40 %.

Quant aux premières livraisons de modèles finaux, elles devraient intervenir en 2014.

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Source : VR-Zone