Les fabricants de semiconducteurs bataillent pour optimiser la mémoire rapide HBM2 et offrir toujours plus de performances. Le groupe SK Hynix annonce ainsi une nouvelle mémoire HBM2E présentée comme possédant la plus grande bande passante du marché.
Dépassant la mémoire HBM2E Flashbolt de Samsung avec ses 410 Go/s (3,1 Gbps par broche) annoncée en début d'année, la nouvelle mémoire HBM2E de SK Hynix atteint ainsi les 460 Go/s, soit 3,6 Gbps par broche.
La firme indique pouvoir empiler jusqu'à 8 composants 16 Gb (2 Go) via la technologie TSV (Through Silicon Via) pour constituer un module mémoire de 16 Go.
La mémoire HBM2E de SK Hynix pourra se retrouver dans des cartes graphiques haut de gamme et composants dédiés (accélérateurs) pour l'intelligence artificielle et les supercalculateurs mais l'entreprise ne donne pas encore de fenêtre de disponibilité.
