Processeurs NovaThor : ST-Ericsson fait le choix du FD-SOI de Soitec

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Parmi les choix techniques concernant les technologies de transistors pour ses processeurs mobiles NovaThor, le fondeur ST-Ericsson a choisi le FD-SOI planaire du français Soitec pour ses prochaines générations de produits.

Partenaires de longue date, "voisins" géographiques autour de Grenoble, STMicroelectronics et Soitec se rapprochent par l'intermédiaire de la filiale ST-Ericsson qui vient de sélectionner la technologie de transistors FD-SOI ( Silicium sur isolant - fully depleted ) de Soitec pour les prochaines générations de ses processeurs d'applications de la famille NovaThor ( que l'on commence à trouver dans les smartphones Sony ).

La technologie FD-SOI repose sur le dépôt d'une très fine couche de silicium sur une couche d'oxyde isolante BOx ( Buried Oxyde ), l'ensemble offrant des propriétés de faible consommation et de fonctionnement à très faible voltage avantageuses pour des applications pratiques mobiles.

ST Ericsson logo" La prochaine génération de terminaux mobiles destinés au grand public exigera une plus grande facilité d'utilisation et des performances plus élevées sans diminuer la durée de vie des batteries ", indique Louis Tannyeres, responsable de l'architecture des processeurs chez ST-Ericsson qui affirme que " les résultats de nos travaux avec STMicroelectronics sur le procédé FD-SOI ont démontré que cette technologie est capable d'offrir ces avantages à un coût compétitif en apportant une forte différenciation à nos solutions ".

ST-Ericsson, parti en retard dans la course aux processeurs d'application, cherche maintenant à rattraper son retard en mettant justement en avant les économies d'énergie permises par ses plates-formes mobiles.

Logo_SOITECEn choisissant la technologie de transistors FD-SOI, ST-Ericsson compte gagner 35% de baisse de consommation qui, pour les utilisateurs finaux, " se traduira entre autres par des terminaux mobiles pouvant offrir quatre heures supplémentaires de navigation Internet à haute vitesse ou jusqu'à un jour supplémentaire d'autonomie ", argument non négligeable à l'heure où smartphones et tablettes embarquent toujours plus de fonctionnalités gourmandes en énergie.

Le choix de cette technologie permet également de rester sur des procédés de fabrication standard ( ce qui rendra les composants moins coûteux ) et d'assurer une transition par rapport aux générations suivantes de procédés industriels.

Les transistors FD-SOI conservent une structure planaire, contrairement aux transistors FinFET, comme les transistors Tri-Gate 3D d'Intel, annoncés en mai 2011, et qui demandent de nouveaux procédés de fabrication, avec l'avantage de pouvoir ajouter des fonctions de contrôle impossibles à intégrer sur du FinFET.

Le choix du FD-SOI permet aussi de contourner certaines barrières techniques relatives à la fabrication CMOS traditionnelle pour des niveaux de gravure en-dessous de 28 nm.

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