Toshiba : la mémoire flash NAND à 43 nanomètres début 2008

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Reuters
Toshiba

D'ici la fin du mois de mars 2008, Toshiba, important groupe japonais d'électronique grand public, devrait se lancer dans la production massive de mémoires flash NAND bénéficiant d'une finesse de gravure à 43 nanomètres.

ToshibaD'ici la fin du mois de mars 2008, Toshiba, important groupe japonais d'électronique grand public, devrait se lancer dans la production massive de mémoires flash NAND bénéficiant d'une finesse de gravure à 43 nanomètres.


Des coûts de production réduits de 40 %

Ce type de mémoire équipe notamment les téléphones portables, les baladeurs audio numériques et les appareils photo numériques. La réduction de sa finesse de gravure permet de réduire considérablement la place qu'elle occupe dans les appareils, la consommation d'énergie, ainsi que ses coûts de fabrication.

Anticipant la baisse de 50 % attendue sur le prix de la mémoire flash NAND, Toshiba, second fabricant derrière Samsung, espère réduire de 40 % ses coûts de fabrication en passant de la gravure à 56 nanomètres vers celle à 43 nanomètres. Les puces mémoire devraient quant à elles sortir de l'usine de Mie, préfecture du sud-ouest de Tokyo ( Japon ), dont l'ouverture est planifiée pour cette année.
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