Toshiba a présenté sa mémoire MRAM, développée en collaboration avec NEC et une mémoire FeRAM haut densité.

Lundi 6 février, lors de l' ISSCC ( International Solid-State Circuits Conference ) de San Francisco, les groupes japonais Toshiba et NEC ont présenté le fruit de leur collaboration dans la mémoire MRAM. Le premier a également annoncé une version haute densité de la mémoire FeRAM.

ToshibaLogo nec

La FeRAM ( Ferroelectric Random Access Memory ) est utilisée depuis quelques années déjà. Parmi les applications de cette mémoire non-volatile fonctionnant à faible voltage, on peut citer les tags RFID ( Radio Frequency Identification ) et les cartes magnétiques pour l'identification, les applications biométriques et la monnaie électronique.
Memoire ecc
Cette mémoire combine la rapidité éprouvée des mémoires DRAM et SRAM et la capacité de la mémoire flash NAND à retenir les données même lorsqu'elle n'est pas alimentée. Contrairement à la DRAM, elle n'est pas sans cesse rafraîchie, mais seulement  lorsqu'elle est en phase de lecture, ce qui lui permet de fonctionner à faible voltage. Toshiba poursuit le développement de celle-ci avec pour but de l'intégrer prochainement dans les équipements mobiles et les ordinateurs.

Les spécifications de la puce FeRAM en question :

  • Processus de fabrication : CMOS 130 nm ( 1 nm = 10-9 m )
  • Densité : 64 Mbit
  • Taille de la cellule : 0,7191 µm²
  • Cycle : 60 ns
  • Vitesse d'écriture / lecture : 200 Mbit/s
  • Voltage : 3,3 V et 2,5 V

Mram De son côté, la MRAM ( Magnetoresistive Random Access Memory ), mise au point en partenariat avec NEC, présente des perfomances tout aussi satisfaisantes que celles de la mémoire FeRAM. Comme cette dernière, il s'agit d'une mémoire non-volatile. Ce qui la différencie pour l'instant de la FeRAM, c'est son stade de développement.

La résistance dûe au champ magnétique, qui a toujours été un problème, a été ici réduite de 38 %, ce qui permet d'atteindre des vitesses d'écriture et de lecture plus élevées. Elle fonctionne à 1,8 V, une tension idéale pour l'utilisation dans les appareils mobiles. Bref, cette mémoire a un bel avenir devant elle.

Les spécifications de la puce MRAM :

  • Processus de fabrications : CMOS 130 nm / MRAM 240 nm ( 1 nm = 10-9 m )
  • Densité : 16 Mbit
  • Taille de la cellule : 1,872 µm²
  • Cycle : 34 ns
  • Vitesse d'écriture / lecture : 200 Mbit/s
  • Voltage : 1,8 V

La mémoire MRAM : mémoire du futur ' Le temps nous dira ;-)

Source : CDRinfo / Digitimes