Cette semaine, Toshiba a annoncé la démolition de son usine de fabrication de semi-conducteurs Fab 2 à Yokkaichi au Japon pour la remplacer par une nouvelle installation qui sera spécialisée dans la production de mémoire flash NAND 3D. En partenariat avec SanDisk, la production de masse est prévue pour débuter en 2016.
Les puces NAND 3D devraient permettre des mémoires flash d'une capacité de 1 To, sans commune mesure dès lors avec les capacités actuelles que l'on retrouve dans les smartphones et tablettes. Alors que la finesse de gravure touche ses limites, le principe pour la NAND 3D est d'adopter une architecture verticale pour empiler les couches tout en assurant leur connexion.
L'année dernière, Samsung avait été le premier fabricant de semi-conducteurs à débuter la production de NAND 3D. Des puces baptisées V-NAND pour Vertical-NAND et qui ont été utilisées pour des SSD d'une capacité allant de 128 Go à 1 To.
