Une équipe de chercheurs de l'Université du Kentucky a mis au point une méthode originale pour limiter les pertes électriques des transistors.

Les fuites d'électrons au niveau des transistors de nos micro-processeurs sont un des principaux facteurs limitants de leurs performances. En effet, c'est le rapport entre la quantité d'électrons qui entre dans un transistor et celle qu'il restitue à sa sortie qui détermine son rendement.

L'équipe d'ingéniérie électrique et informatique du Pr Zhi Chen a donc mis au point une méthode de traitement des transistors qui diminuerait dans des proportions importantes ces fameuses pertes. Cette technique consiste en l'application d'un traitement thermique extrêmement bref —une sorte de pasteurisation informatique— directement sur les isolants des "portes" (extrémités) des transistors qui tapissent la surface des processeurs de nos ordinateurs.

Grâce à cette opération, la surface externe des isolants des "portes" du transistor est durcie, et ses propriétés d'isolation électrique renforcée. Les qualités de conduction électrique sont ainsi parfois multipliées par 10.000, voire 100.000 dans certains cas.

Cette découverte pourrait dans une certaine mesure révolutionner les méthodes de fabrications des processeurs de nos ordinateurs, à l'heure où les fondeurs s'ingénient à graver sur leurs puces des détails de plus en plus petits.
L'industrie électronique deviendrait également moins dépendante des progrès en matière d'optique pour améliorer les performances de sa production. Les futures puces à faible consommation pourraient directement en bénéficier.

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Source : Slashdot