Après la bataille sur la gravure en 10 nm FinFET en 2016 / 2017, les deux fondeurs TSMC et Samsung vont rivaliser sur la prochaine évolution, c'est à dire la gravure en 7 nm FinFET.
Les premières puces devraient être disponibles dès le second semestre cette année mais des deux fondeurs, c'est TSMC qui va prendre l'ascendant en disposant plus rapidement d'une technologie de gravure en 7 nm sans exploiter la lithogravure EUV, qui ne sera proposée que dans une évolution optimisée ultérieure en 2019, Samsung démarrant plus tard directement avec une gravure 7 nm en EUV.
De fait, TSMC sera le premier à se lancer sur la gravure 7 nm, ce qui lui permettra de récupérer de gros clients. Apple, bien sûr, qui restera chez le fondeur taiwanais pour son SoC Apple A12 destiné aux iPhone de 2018, mais aussi Qualcomm, jusqu'à présent chez Samsung, qui pourrait basculer temporairement vers TSMC pour s'assurer de la disponibilité de son futur SoC SnapDragon 855 dès le début 2019.
Au-delà, TSMC prépare déjà la gravure en 5 nm puis en 3 nm et a déjà réalisé les premières annonces d'investissement avec un projet de 20 milliards de dollars pour une ligne de production en 3 nm au début de la prochaine décennie.
Parallèlement, Samsung va proposer de la gravure en 4 nm en réponse au 5 nm de TSMC à partir de 2020. Le géant coréen entend toujours passer de 10% de part de marché à 25% dans les cinq ans à venir, et donc entamer la domination de TSMC (60% de part de marché).
