Les transistors sous forme de structures en trois dimensions plutôt que planaires étaient à l'étude dans les laboratoires depuis plusieurs années mais c'est la première fois qu'un fondeur annonce être en mesure de les produire en masse.
C'est ce que va proposer le fondeur Intel avec les transistors 3D Tri-Gate annoncés mercredi qui, par leurs propriétés, doivent assurer la continuité de la loi de Moore pour quelque temps encore, alors que les niveaux de gravure toujours plus fins des processeurs approchent des limites physiques des technologies.
La structure en ailerons des transistors Tri-Gate d' Intel va permettre de gagner encore en densité et sera à la base de la prochaine génération de processeurs gravés en 22 nm et portant le nom de code Ivy Bridge.
Disposés verticalement, ils permettent de compacter encore plus de transistors sur une surface donnée mais leur structure permet également un contrôle plus fin et plus rapide de leur état activé / désactivé, se traduisant par une moindre perte d'énergie, notamment par les courants de fuite.
À gauche, transistor planaire 32 nm ; à droite, transistor Tri-Gate 22 nm
Intel indique déjà que la structure des transistors Tri-Gate pourra être modifiée en allongeant la taille des ailerons pour gagner en performances et en rendement électrique dans les prochaines évolutions de ce nouveau design de transistor.
Les premiers processeurs Ivy Bridge seront disponibles en volume dès la fin de l'année 2011 et les transistors Tri-Gate devraient se retrouver dans les prochaines générations de processeurs mobiles Atom, ce qui devrait permettre à Intel de concurrencer les processeurs ARM plus efficacement.
L'annonce de ces nouveaux transistors est aussi stratégique pour Intel qui repousse les limites techniques risquant d'invalider la loi de Moore et doit lui permettre de continuer à proposer des processeurs toujours plus compacts et performants.
