" C'est une technologie de rupture ", explique Michael Kozicki, professeur de génie électrique à l'Université de l'Arizona, à propos du projet concernant un nouveau type de mémoire. " Si cela fonctionne comme cela est espéré, elle pourrait véritablement transformer l'industrie de la mémoire et du stockage ", poursuit-il.

Baptisé mémoire PMC ( Programmable-Metallization-Cell ) ou mémoire nano-ionique, elle fait l'objet d'un développement concerté entre l'Université de l'Arizona, IBM et Sony. Il s'agit d'un des projets visant à aller au-delà des technologies actuelles de mémoires non volatiles. disques durs et DRAM.

Les progrès récents réalisés dans les nano-matériaux ont permis d'améliorer notablement les vitesses de transfert, atteignant des débits comparables à ceux de la mémoire non volatile, voire pour certains prototypes de mémoires PMC de l'ordre de ceux de la DRAM.


Une histoire de nanofilaments
Ce nouveau type de mémoire permettrait de réduire la consommation d'énergie de moitié et offrir des capacités de stockage allant jusqu'au Teraoctet dans un format de carte mémoire. Mieux encore, la commercialisation de telles mémoires pourrait se faire dans les 18 mois à venir.

Car la mémoire nano-ionique n'est pas très compliquée à fabriquer et peut même être intégrée dans des processus de fabrication existants. Entre sa très faible consommation d'énergie et sa densité de stockage élevée, elle ouvre de nouvelles perspectives grâce à ses réarrangements atomiques capables de stocker plusieurs bits d'information par unité de mémoire et sa structure en couches superposées.

Les unités de mémoire sont composées d'un électrolyte solide entouré de deux électrodes métalliques. Les ions métalliques de l'électrolyte forment des arrangements atomiques stables quand un courant à faible voltage est appliqué et produisent des nano-filaments laissant alors passer les électrons.

Les nanofilaments ne se dissolvent que si une tension opposée leur est appliquée, lui donnant la propriété d'une mémoire non volatile. Les deux états ( résistance au passage des électrons ou passage facilité ) peuvent donc représenter les 0 et 1 binaires.