Logo nanya technology Lors du SemiTech Taipei 2006 de Taiwan, le fabricant taiwanais Nanya Technology, par la voix de Pei-lin Pai, porte-parole de la firme compagnie et vice-président de la branche ventes et marketing, a annoncé le lancement de ses premières modules de mémoire DDR3 dès le second semestre 2006.


Une disponibilité dès 2006, mais...
Cette mémoire sera disponible dès cette année, mais deviendra une source de revenus seulement à partir de 2008, moment à partir duquel elle commencera à intéresser le grand public. C'est la raison pour laquelle, les modules de mémoire DDR3 utiliseront une finesse de gravure à 90 nanomètres, avant de passer finalement au 70 nanomètres, en 2008.


La mémoire DDR3 en attente de spécificiations.
les spécifications de la mémoire DDR3 n'ont en effet pas encore été ratifiées par le JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council ), un conseil réunissant le industriels du secteur de l'électronique. Elles devraient l'être d'ici la fin 2007, voire début 2008.


Modules 1 go ddr3 nanya

Un module de mémoire 1 Go DDR3 signé Nanya et présenté lors du salon SemiTech de Taipei.


Les caractéristiques desdites barrettes :
  • Architecture pre-fetch buffer 8bit, au lieu de 4-bit pour la DDR 2 ;
  • Des débits s'échelonnant de 800 Mbit/s ( DDR3-800 ) à 1600 Mbit/s ( DDR3-1600 ) ;
  • Des CAS de latences allant de 5 à 10, au lieu de 3 à 5 pour la DDR 2 ;
  • Technologies d'économie d'energie PASR ( Partial Arrat Self Refresh ) et ASR ( Auto Self Refresh ) ;
  • Fonctionnement à 1,5 V, contre 1,8 V pour la DDR 2 ;
  • Des capteurs thermiques;