La mémoire vive DDR5 va faire ses premiers pas cette année en commençant vraisemblablement par des produits pour serveurs et datacenters. Samsung, leader mondial des composants mémoire, sera aux premières loges pour profiter de cette transition.
La firme coréenne dévoile ce jour une barette de RAM DDR5 de 512 Go qui exploite la technologie HKMG (High-K Metal Gate) permettant de réduire les courants de fuite et d'améliorer les performances, une première dans l'industrie pour ce nouveau type de RAM.
La barrette RDIMM est constituée d'un assemblage de 32 modules de 16 Go composés chacun des empilements de 8 modules 16 Gb (2 Go) grâce à la technologie TSV (Through Silicon Via).
L'utilisation du HKMG, en plus du voltage abaissé (1,1V) par rapport à la génération précédente, permet à Samsung de revendiquer une consommation électrique abaissée de 13% tout en assurant des débits doublés, jusqu'à 7200 Mbps (mais Samsung ne précise pas le débit précis de sa RAM DDR5).
Samsung rappelle avoir déjà utilisé la technologie HKMG pour ses composants GDDR6 en 2018 et cet usage se voit donc déjà étendu à la DDR5, notamment pour des composants mémoire qui seront utilisés dans des supercalculateurs et serveurs HPC et IA.
Le groupe a déjà commencé à livrer des échantillons pour validation à ses partenaires, afin d'obtenir les certifications pour des usages en intelligence artificielle et machine learning, calcul exascale, big data et autres charges de travail lourdes.
