Samsung Electronics annonce la sortie des premiers modules mémoire SDRAM gravés en 70 nanomètres.
Le Sud-Coréen Samsung Electronics vient d'annoncer la mise en production prochaine des premiers modules de mémoire SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) DDR2 (Dual Data Rate 2) gravés en 70 nanomètres.
Jusqu'ici, les modèles commercialisés bénéficiaient de détails gravés en 90 nm, voire en 80 nm pour les plus performants. En augmentant la précision de gravure, Samsung espère obtenir des gains de productivité par "galette" (wafer) de 100% par rapport aux modèles gravés en 90 nm.
Pour réaliser cette prouesse, Samsung a développé sa propre technologie "double métal" (métal-isolant-métal) et une architecture en trois dimensions baptisée Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor (S-RACT) qui autorise l'empilement en quinconce des transistors sur le substrat, au lieu de simplement les juxtaposer.
Les premiers prototypes de cette nouvelle technologie autorise le stockage de 512Mo de données sur une taille réduite, et à une vitesse d'écriture et de lecture accélérée.
Cette nouvelle gamme sera déclinée en 512Mo, 1Go et 2Go dès le deuxième semestre 2006, sans que Samsung ne mentionne la gamme de vitesses de bus qui lui seront compatibles.
Le Sud-Coréen Samsung Electronics vient d'annoncer la mise en production prochaine des premiers modules de mémoire SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) DDR2 (Dual Data Rate 2) gravés en 70 nanomètres.
Jusqu'ici, les modèles commercialisés bénéficiaient de détails gravés en 90 nm, voire en 80 nm pour les plus performants. En augmentant la précision de gravure, Samsung espère obtenir des gains de productivité par "galette" (wafer) de 100% par rapport aux modèles gravés en 90 nm.
Pour réaliser cette prouesse, Samsung a développé sa propre technologie "double métal" (métal-isolant-métal) et une architecture en trois dimensions baptisée Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor (S-RACT) qui autorise l'empilement en quinconce des transistors sur le substrat, au lieu de simplement les juxtaposer.
Les premiers prototypes de cette nouvelle technologie autorise le stockage de 512Mo de données sur une taille réduite, et à une vitesse d'écriture et de lecture accélérée.
Cette nouvelle gamme sera déclinée en 512Mo, 1Go et 2Go dès le deuxième semestre 2006, sans que Samsung ne mentionne la gamme de vitesses de bus qui lui seront compatibles.
Source :
VNU Net
