Face aux enjeux de la miniaturisation et de l'augmentation des performances des processeurs et composants mobiles, les groupes Samsung et TSMC se livrent à une rude bataille pour atteindre les premiers des noeuds de gravure toujours plus fins.

TSMC wafer Après le 14 / 16 nm et en attendant le passage au 7 nm, le front s'est déplacé vers la gravure en 10 nm et les deux fondeurs ont annoncé une mise en production à peu près au même moment. Jusqu'à présent, il était pressenti que TSMC avait une petite longueur d'avance sur son concurrent.

Les récentes annonces de Samsung sur ses projets en matière d'évolution de la gravure en 10 nm (en passant au LPP puis au LPU) et de livraison de 70 000 wafers en 10 nm LPE (Low Power Early) amènent les analystes à penser désormais que le groupe coréen pourrait être en fait en avance d'environ un trimestre sur TSMC, selon EE Times.

Consquence, les premières puces gravées en 10 nm arriveront d'abord via Samsung, ce qui constitue une bonne affaire pour Qualcomm et sa plate-forme SnapDragon 835 et le SoC Exynos 8895 pour Samsung Electronics, par rapport au Helio X30 de MediaTek (dont les analystes suggèrent que de nombreux design wins ont par ailleurs été annulés) et aux futurs processeurs Kirin de Huawei (le Kirin 960 du Huawei P10 reste gravé en 16 nm).

Il reste que les deux fondeurs auront plusieurs trimestres d'avance sur le géant américain Intel qui doit notamment produire des composants gravés en 10 nm pour LG Electronics.

Les annonces de Samsung autour d'une gravure en 8 nm et 6 nm auraient aussi pour but de déborder TSMC sur le segment des semiconducteurs, ce dernier étant habitué à proposer des noeuds de gravure intermédiaires pour prendre de court ses concurrents.

(credit image : TSMC)

Source : EE Times