L'année 2017 va voir les processeurs mobiles passer à une gravure de 10 nm plus fine par rapport aux 14 nm ou 16 nm proposés respectivement par Samsung et TSMC. Les fondeurs sont prêts à proposer cette nouvelle technologie, même s'il reste à voir s'ils ne seront pas freinés par des problèmes initiaux de rendement.
Chez HiSilicon / Huawei, la gravure en 10 nm FinFET devrait être proposée sur une nouvelle génération de processeurs mobiles, après le récent Kirin 960 présent à bord du Huawei Mate 9 et gravé en 16 nm. Cette évolution sera représentée par le SoC Kirin 970 dont des détails continuent d'émerger en attendant son officialisation.
Selon des informations diffusées sur les réseaux sociaux chinois, le Soc Kirin 970 sera produit en 10 nm par le fondeur taiwanais TSMC et aura une configuration octocore avec 4 coeurs ARM Cortex-A73 et 4 coeurs ARM Cortex-A53, avec des cadences comprises entre 2,8 et 3 GHz.
Le Kirin 970 devrait intégrer un modem 4G LTE Cat 12, ce qui le mettra au niveau d'autres chipsets proches mais en-dessous du SoC SnapDragon 835 qui proposer un modem X16 LTE capable de se rapprocher d'un débit de 1 Gbps.
Le SoC Kirin 970 devrait être annoncé dès le premier trimestre 2017 mais il ne sera pas présent à bord du futur smartphone Huawei P10 qui sera dévoilé au premier semestre l'an prochain. On devrait le retrouver dans les smartphones Huawei du second semestre.
