Le groupe Qualcomm va donner un successeur au SoC SnapDragon 820 / 821 présent dans bon nombre de smartphones Android haut de gamme en 2016 sous la forme du SnapDragon 835, une plate-forme gravée en 10 nm FinFET et qui doit être présentée plus complètement durant le salon CES 2017 de Las Vegas.
En amont de l'événement, des slides détaillant les caractéristiques ont commencé à fuiter sur la Toile, révélant ou confirmant une bonne partie des caractéristiques de la nouvelle plate-forme mobile haut de gamme du groupe de San Diego.
Outre les informations déjà officialisées (gravure en 10 nm chez Samsung, modem X16 LTE capable d'atteindre 1 Gbps), les images diffusées par Videocardz confirment que le SnapDragon 835 sera bien octocore (contre quadcore pour le SnapDragon 820 / 821) avec des coeurs Kryo 280 optimisés et organisés en deux clusters, l'un cadencé jusqu'à 2,45 GHz, avec 2 Mo de cache L2, pour les applications gourmandes, et l'autre cadencé à 1,9 GHz et avec un cache L2 de 1 Mo, pour les tâches plus basiques, en vue de préserver l'autonomie de l'ensemble.
La gravure en 10 nm et les optimisations sont censées apporter une réduction de consommation de 50% par rapport au SnapDragon 801, et d'environ 20% par rapport au SnapDragon 820 / 821, ce qui se traduit aussi par une empreinte plus compacte du SoC.
La partie GPU correspond à une puce Adreno 540 qui assurerait des performances 25% supérieures au SnapDragon 820, tandis qu'on retrouvera les puces de traitement du signal et de l'image Hexagon et Spectra, déjà mises en valeur dans le SnapDragon 820.
