Alors que les gros SSD d’Intel, tels que le modèle Optane DC P4800X de 375 Go annoncé dernièrement au prix de 1 520 dollars, profitent d’une mémoire flash 3D XPoint co-développée depuis quelques années avec Micron Technologies pour profiter de débits monstrueux, Samsung planche sur une technologie similaire.
La réponse du groupe sud-coréen s’appelle Z-NAND et pourrait débarquer prochainement. Un prototype d’une capacité de 800 Go au format PCI-Express 4x a en effet été présenté. Sa fiche technique indique des pointes à 3 200 Mo/s en lecture et en écriture séquentielle, 160 000 IOPS en écriture aléatoire et 750 000 IOPS en lecture aléatoire. En parallèle, on promet une latence réduite de 70 %, par rapport aux SSD NVMe actuels. On parle également d’autres modèles qui proposeront des capacités de 1, 2 et même 4 To.
Le SSD avec sa mémoire flash Z-NAND (cliquer pour agrandir)
Les prix de ces SSD n’ont pas filtré. On se doute que la tarification réservera de telles performances au marché professionnel (cf. le prix du modèle Intel évoqué plus haut).
