La mémoire NAND 3D QLC (Quad-Level Cell) à 4 bits par cellule sort finalement des laboratoires et promet une densité un tiers supérieure à celle des actuelles mémoires TLC (Triple-Level Cell, à 3 bits par cellule), utilisées dans les SSD récents.
Intel et Micron annoncent être passés à la phase de production avec un module mémoire NAND 3D en 64 couches atteignant une densité de 1 Tb (125 Go) par die. Dans le même temps, les deux entreprises évoquent la préparation de modules NAND 3D TLC en 96 couches qui maintiendra leur leadership en matière de densité en Gb / mm2.
Ces nouvelles mémoires NAND 3D 64 couches QLC permettront de concevoir des solutions de stockage toujours plus compactes. Et justement, Micron en a profité pour annoncer un SSD Micron 5210 ION présenté comme étant le premier à exploiter de la NAND QLC.
Au format 2,5 pouces, il offre des capacités allant de 1,92 To à 7,68 To et se destine aux besoins de stockage en datacenters. Mais s'il offre des avantages en matière de compacité et de consommation d'énergie, le site TechReport note que la NAND QLC est aussi plus sensible aux cycles d'écriture/effacement que la NAND TLC (1000 cycles pour le QLC avant défaillance, 3000 pour le TLC), ce qui destine ce genre de solution à du stockage de données mais pas forcément à des opérations d'écriture / réécriture de données en continu.
