En matière de NAND 3D, le groupe Samsung peut compter sur sa mémoire V-NAND développée depuis plusieurs années et améliorée au fil des générations. C'est donc désormais la cinquième génération de V-NAND qui entre en phase de production de masse.
Sa particularité est de passer à 96 couches, contre 64 couches précédemment, renforçant encore la densité de stockage tout en offrant des performances supérieures grâce à l'utilisation d'une interface Toggle DDR 4.0 qui lui permet d'atteindre un débit de 1,4 Gbps, contre 800 Mbps pour la génération précédente.
Les nouveaux composants de 256 Gb (32 Go) fonctionnent également à voltage réduit à 1,2 V, contre 1,8 Volt précédemment, assurant une efficience énergétique comparable.
Samsung annonce une réduction de la latence dans l'écriture et la lecture, avec des valeurs respectives de 500 µs (soit 30% d'amélioration par rapport à la V-NAND 64 couches) et 50 µs.
La firme indique enfin avoir résolu certaines difficultés de conception qui avaient freiné la production de la V-NAND en 48 couches, permettant d'améliorer le rythme de production de plus de 30%.
