Après la mémoire LPDDR4 / LPDDR4X qui commence à être déployée massivement au moins dans les smartphones de grand milieu de gamme et premium, c'est une mémoire LPDDR5 aux performances améliorées qui doit prendre le relais ces prochaines années.
Samsung, leader mondial de la production de composants mémoire, a annoncé avoir développé avec succès un premier module LPDDR5 8 Gb (soit 1 Go) gravé en 10 nm qui vient compléter ses efforts d'innovation dans le domaine des mémoires, après la mise en production de la GDDR6 pour cartes graphiques fin 2017 et le développement de la DDR5 16 Gb.
Cette solution LPDDR5 sera particulièrement adaptée aux appareils mobiles de prochaine génération, notamment pour des applications de type 5G et d'intelligence artificielle demandant une grande bande passante.
Le nouveau composant mémoire offrira une vitesse de transfert jusqu'à 6400 Mbps, soit 1,5 fois plus rapide que les actuelles mémoires RAM LPDDR4X 4266 Mbps. Samsung indique le composant sera proposé en deux variantes, l'une atteignant 6400 Mbps avec un voltage de 1,1 Volt et l'autre allant jusqu'à 5500 Mbps avec un voltage 1,05 volt.
La nouvelle mémoire LPDDR5 pourra ajuster son voltage en fonction des besoins et proposera un mode de veille profond divisant encore par deux la consommation d'énergie du mode de veille de l'actuelle LPDDR4X.
Si les applications initiales relèvent essentiellement de l'industrie mobile, il ne faudra sans doute pas trop longtemps avant que la LPDDR5 ne trouve sa place dans d'autres segments et ne finisse par accompagner des processeurs x86.
Samsung ne donne toutefois pas encore d'indications sur la production de masse de la LPDDR5. Le groupe indique seulement avoir mené à bien les tests de validation d'un prototype de mémoire LPDDR5 8 Go, composé de 8 modules LPPDR5 8 Gb.
