La mémoire MRAM (Magneto-Resistive Random Access Memory) est un type de mémoire combinant les avantages de la RAM (vitesses de transfert importantes) et la persistance des informations des mémoires non volatiles.

En version eMRAM (embedded MRAM), elle se destine à remplacer peu à peu les mémoires de stockage classiques Flash NOR (eFlash) pour de nombreuses applications allant de l'IoT à l'intelligence artificielle.

Il s'agit ici des mémoires de stockage reprogrammables ou modifiables ponctuellement de composants électroniques, et non de la mémoire Flash NAND que l'on peut trouver par exemple dans des SSD et soumise à d'intenses sollicitations tout au long de son cycle.

GlobalFoundries FD SOI

Plusieurs entreprises ont annoncé la mise en production de mémoire MRAM selon un procédé de gravure en 28 nm FD-SOI mais le fondeur GlobalFoundries annonce être en mesure de produire désormais de la eMRAM en 22 nm FD-SOI, ou 22FDX.

GlobalFoundries eMRAM

Cette nouvelle mémoire offre une robustesse de 100 000 cycles et offre une durée de vie d'une dizaine d'années dans des conditions de température allant de -40 degrés à +125 degrés.

GlobalFoundries indique être déjà en contact avec plusieurs partenaires et disposer de références prêtes à partir en production dès cette année depuis son site Fab 1 de Dresde (Allemagne).