Sous cet acronyme se cachent les initiales de Phase-change Random Access Memory, qui devraient faire l'effet d'une petite bombe (sans mauvais jeux de mots) dans le milieu des chips mémoire. En effet, ce nouveau type de mémoire non volatile (Persistent Storage) devrait sonner le glas des mémoires Flash NOR (Not OR), en se substituant à celles-ci dans les prochaines années à venir.
Données constructeur
Samsung précise que la PRAM, contrairement aux autres types de mémoire, n'a pas besoin d'effacer les données précedemment écrites avant de pouvoir y inscrire de nouvelles, ce qui augmenterait les performances globales par 30 vis-a-vis des mémoires flash 'traditionnelles'. La durée de vie et la résistance seraient aussi 10 fois plus longues. De même, au niveau place, une cellule de PRAM ne prendra que la moitié d'une cellule utilisée pour les types de mémoire Flash NOR, et sa production demanderait 20% d'opérations en moins.
Samsung à indiqué que les premiers modèles opérationnels devraient arriver en début d'année 2008 sur le marché.
Il est à noter qu'il existe deux types principaux de mémoires ROM, à savoir la mémoire ROM de type NOR, qui possède des temps d'accès rapides en lecture mais plus lents en écriture, et la mémoire ROM de type NAND qui inversement permet d'accèder en lecture aux données lentement mais rapidement en écriture.
Ces deux types de mémoire ROM auront des conséquences directes sur l'utilisation de la mémoire RAM, l'utilisation du NOR permettant d'executer des applications sans les charger au préalable en RAM, (qui consomme beaucoup plus d'énergie) et donc d'exécuter plus rapidement des programmes. Samsung ne compte donc pas remplacer la NAND, qui atteint des sommets en matière de densité de stockage, mais bien compléter l'offre qui existe déjà.
