Après le taiwanais TSMC qui s'est dit prêt à passer à la gravure 7 nm FinFET dès le premier trimestre 2018, c'est au tour de GlobalFoundries de dévoiler sa stratégie de migration vers le noeud 7 nm.
Pour assurer une bascule rapide, le fondeur compte réexploiter en les faisant évoluer une partie des équipements associés à l'actuelle gravure en 14 nm et en les combinat à la lithographie EUV (Extreme UV), ce qui lui devrait lui permettre d'adapter dans des délais courts son grand site de production Fab 8 de Malta (Etat de New York, USA), non sans un plan d'investissement de plusieurs milliards de dollars.
GlobalFoundries compte finalement passer directement du 14 nm au 7 nm et sauter l'étape intermédiaire du 10 nm que proposeront TSMC, Samsung et Intel entre la fin d'année 2016 et 2017, voire un peu plus, et promet déjà un gain de performance de 30% des composants gravés en 7 nm par rapport au 14 nm.
Le 7 nm est vu comme le noeud de référence qui doit occuper l'industrie électronique pendant un moment ces prochaines années, comme le furent le 28 nm et l'actuel noeud 16/14 nm.
Le groupe indique avoir réalisé des puces de test gravées en 7 nm pour ses principaux clients sur le site Fab 8 qui devrait pouvoir accepter les premiers designs de produits après mi-2017 et lancer la phase de pré-industrielle (risk production) début 2018, restant dans la roue de TSMC qui anticipe de son côté une production en volume sur cette même période, si tout se déroule comme prévu.
