La mémoire à changement de phase ou PRAM ( Phase-change Random Access Memory ) est un peu le Graal de la mémoire non volatile avec des temps d'accès beaucoup plus rapide que la mémoire Flash actuelle et une consommation d'énergie moindre.
Selon une rumeur issue d'un analyste du cabinet d'études Objective Analysis et parue sur EE Times, le premier fabricant de mobiles mondial Nokia serait en train d'évaluer des échantillons de PRAM pour une utilisation dans ses terminaux mobiles de prochaine génération. PRAM Samsung
Plusieurs fournisseurs possibles
Plusieurs sociétés, dont Samsung, Intel et STMicroelectronics, sont cités parmi les fournisseurs potentiels, car disposant d'exemplaires de pré-série. D'autre part, Intel et STMicroelectronics ont récemment créé une nouvelle entité de production de mémoire non volatile NOR mais qui pourrait bien servir également à la production de mémoire de changement de phase.
Intel a annoncé au mois d'avril 2007 la fourniture d'échantillons de PRAM 16 Mo gravée en 90 nm et prévoit le lancement d'une production de masse pour la fin de l'année. Ed Doller, directeur technique pour la division Mémoire non volatile d'Intel, a précisé que ces échantillons préparent le remplacement de la mémoire NOR actuellement employée, voire de celui de la mémoire NAND.
Selon une rumeur issue d'un analyste du cabinet d'études Objective Analysis et parue sur EE Times, le premier fabricant de mobiles mondial Nokia serait en train d'évaluer des échantillons de PRAM pour une utilisation dans ses terminaux mobiles de prochaine génération. PRAM Samsung
Plusieurs fournisseurs possibles
Plusieurs sociétés, dont Samsung, Intel et STMicroelectronics, sont cités parmi les fournisseurs potentiels, car disposant d'exemplaires de pré-série. D'autre part, Intel et STMicroelectronics ont récemment créé une nouvelle entité de production de mémoire non volatile NOR mais qui pourrait bien servir également à la production de mémoire de changement de phase.
Intel a annoncé au mois d'avril 2007 la fourniture d'échantillons de PRAM 16 Mo gravée en 90 nm et prévoit le lancement d'une production de masse pour la fin de l'année. Ed Doller, directeur technique pour la division Mémoire non volatile d'Intel, a précisé que ces échantillons préparent le remplacement de la mémoire NOR actuellement employée, voire de celui de la mémoire NAND.
Source :
EE Times
