C'est lors de l'IDF se tenant en Corée du Sud, que le fondeur américain a présenté la mise en production prochaine de mémoire flash MLC (Multi-Level Cell) d'une capacité de 1 Go, disposant d'une finesse de gravure de 65 nanomètres. Au niveau des performances, la StrataFlash M18 autorise une vitesse en écriture de 1 Mo/seconde. Elle est ainsi deux fois plus rapide que la version précédente annoncée en Avril dernier.
Stocker davantage sur appareils mobiles
La taille miniaturisée à l'extrême de la StrataFlash M18 lui permet d'être une solution idéale de stockage pour les téléphones portables, PDA, lecteurs multimédias et autres appareils mobiles. Selon Intel, cette nouvelle mémoire flash à haute densité va permettre de voir émerger des téléphones portables dotés d'appareil photo de 4 MégaPixel grâce à cet emplacement de stockage confortable.
En outre, la miniaturisation de la mémoire permet une consommation électrique plus faible préservant l'autonomie de la batterie.
Par ailleurs, l'architecture de la StrataFlash M18 a été élaborée de façon à faciliter la migration des mémoires flash de 90 nanomètres vers les nouvelles de 65 nanomètres. La nouvelle génération de téléphones portables bénéficiera donc rapidement de cette innovation. Dans le cours de l'année, Intel prévoie de sortir également ces nouveaux types de mémoires avec des capacités de stockage allant de 128 à 512 Mo.
Stocker davantage sur appareils mobiles
La taille miniaturisée à l'extrême de la StrataFlash M18 lui permet d'être une solution idéale de stockage pour les téléphones portables, PDA, lecteurs multimédias et autres appareils mobiles. Selon Intel, cette nouvelle mémoire flash à haute densité va permettre de voir émerger des téléphones portables dotés d'appareil photo de 4 MégaPixel grâce à cet emplacement de stockage confortable.
En outre, la miniaturisation de la mémoire permet une consommation électrique plus faible préservant l'autonomie de la batterie.
Par ailleurs, l'architecture de la StrataFlash M18 a été élaborée de façon à faciliter la migration des mémoires flash de 90 nanomètres vers les nouvelles de 65 nanomètres. La nouvelle génération de téléphones portables bénéficiera donc rapidement de cette innovation. Dans le cours de l'année, Intel prévoie de sortir également ces nouveaux types de mémoires avec des capacités de stockage allant de 128 à 512 Mo.
