La mémoire RRAM pourrait annoncer la fin de la mémoire flash.

Logo sharp Selon un article paru dans le journal japonais Nikkei Business Daily, la société japonaise Sharp et les chercheurs de l'Université japonaise de Shizuoka se sont associés pour mettre au point un prototype de mémoire d'un nouveau type, la RRAM ( Resistive Random Access Memory ).

Les premiers tests effectués ont montré que cette mémoire non-volatile permettait des vitesses de lecture et d'écriture des données 1.000 fois plus élevées que celles autorisées par la mémoire de type flash NAND.

Pour information, on trouve de la mémoire flash NAND principalement dans les clés USB, les baladeurs audio numériques, ou encore dans les appareils photo numériques.

Bien que le stade de la production de cette nouvelle mémoire RRAM ne soit pas encore atteint, ceci constitue clairement une avancée dans ce domaine très prisé des industriels des nouvelles technologies. Tout dépendrait en fait des coûts de production, mais sachant que les techniques de fabrication sont semblables, cela offre un bel avenir à cette nouvelle mémoire.
Source : The Inquirer