Lors du très récent forum IDF ( Intel Developer Forum ) de Taiwan, le coréen Samsung, leader sur le marché de la mémoire, a levé le voile sur ses modules de mémoire DDR3.
Bientôt disponible mais... La
compagnie a indiqué qu'elle serait prête à livrer massivement ses
modules au cours du second semestre de cette année. De son côté, Intel
a précisé qu'il ne commencera à supporter cette mémoire DDR3 qu'au
cours de la deuxième moitié de l'annéé 2007. Dong-Yang Lee, ingénieur
chez Samsung Electronics, a indiqué que la mémoire DDR3 devrait
commencer à se substituer à la DDR2 dès le premier trimestre 2009.
800 MHz pour commencer La
mémoire présentée, lors du salon IDF, était un module PC3-6400 opérant
à la fréquence de 800 MHz. Elle devrait, par la suite, être suivie,
selon Samsung, de mémoires cadencées à 1066, 1333 voire même 1667 MHz.
Un sérieux avantage pour les ordinateurs portables Cette
mémoire gravée avec une finesse de gravure à 70 nm ( 1 nanomètre =
10^-9 mètre ), consommera moins d'energie que l'actuelle mémoire DDR2
gravée, quant à elle, en 90 nm. Une avancée qui bénéficiera sans aucun
doute aux ordinateurs portables en terme d'autonomie.
Mais ce
n'est pas tout, cette prochaine mémoire apportera également son petit
lot d'améliorations au niveau de la latence, des registres, de la
calibration automatique et de la synchronisation des données.
Il ne reste plus qu'à attendre son arrivée et celle des premières machines qui en seront pourvues.
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