Hynix annonce la plus petite mémoire mobile DRAM de 128 Mo

Le fabricant de semiconducteurs Hynix Semiconductor a de grandes ambitions du côté de la production de modules de mémoires  et est disposé à prendre des parts de marché aux poids lourds du secteur Samsung et Toshiba / SanDisk. Pour y parvenir, la société compte sur ses capacités d'innovation.

C'est ainsi que Hynix vient d'annoncer ce qu'elle qualifie de plus petit module mobile DRAM 128 Mo  ( Dynamic Random Access Memory ) du marché. Celle-ci est très utilisée dans tous les gadgets électroniques, tels que les APN, les PDA, les baladeurs multimédia ou les systèmes GPS.


Plus rapide, moins gourmand
Ces composants essentiels doivent être de plus en plus petits pour répondre à la tendance de miniaturisation des appareils mobiles, et consommer de moins en moins d'énergie. C'est ce qu'estime avec obtenu Hynix en utilisant sa technologie de gravure en 66 nm. La gravure plus fine réduit la taille mais améliore également le débit utilisable et la gestion de l'énergie.

Le module opère à une cadence de 200 MHz et profite d'un bus 32-bit pour fournir une capacité de débit sortant allant jusqu'à 1,6 Go/s, avec une faible consommation d'énergie. Il fait partie de la gamme One Chip Solutions de Hynix,  capable de répondre aux besoins de flexibilité du marché.

La production de masse du module 128 Mo débutera début 2008. Il sera présenté au sein d'offres NAND MCP ( NAND flash Multi-Chip Package ), POP ( Package On Package ) ou SIP ( System On Package ).