Intel : mémoire NOR Flash gravée en 65 nm

Intel a annoncé ses puces mémoire NOR Flash gravées en 65 nm.


Il n'y a pas si longtemps de cela, l'américain Intel avait annoncé la disponibilité de ses premiers processeurs utilisant une finesse de gravure record de 65 nm ( 1 nanomètre = 10^-9 mètre ).
 
A présent, il annonce l'arrivée prochaine de puces mémoire de type flash NOR MLC ( Multi-Level Cell ) utilisant la même finesse de gravure.  Pour information, ce type de mémoire est particulièrement employé dans les téléphones portables.

Fonctionnant sous 1,8 V, ces puces seront disponibles dans plusieurs densités : 256 Mbits, 512 Mbits et 1 Gbit.

Brian Harrison, vice-président d'Intel et responsable du groupe mémoire flash, a déclaré :

" Avec ces produits, Intel continue de conserver sa position de leader, en proposant la mémoire flash NOR la plus perfectionnée sur le marché des téléphones portables. Notre technologie 65 nm améliorera les performances des mémoires flash dans la prochaine génération de mobiles, en fournissant de nouvelles possibilités et des améliorations à l'utilisateur final. "


Ces puces sont annoncées pour le second trimestre. Nous ne devrions donc pas tarder à les retrouver dans les prochains appareils nomades du marché ( appareil photo numérique, baladeur mp3, téléphone portable, PDA,... ), qui pourront alors stocker jusqu'à deux fois plus de données selon Intel.