Nouvelle mémoire Flash NAND gravée en 30 nm chez Samsung

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Samsung Nand 8 Go 30 nm

Samsung continue d'innover sur le marché de la mémoire Flash NAND en annonçant un nouveau module 8 Go MLC gravé en 30 nm et offrant une plus grande densité de stockage.

Samsung nand 8 go 30 nmNouvelle avancée chez Samsung au niveau de la mémoire Flash NAND : le leader coréen des modules de mémoire annonce une nouvelle technique permettant de produire des barrettes NAND de 8 Go MLC ( Multiple Level Cell ) utilisant des éléments de circuit d'à peine 30 nm de large.

L'objectif est de fournir des solutions toujours plus compactes en accroissant la densité de stockage pour augmenter l'espace de stockage dans les appareils électroniques comme les ordinateurs portables ou des baladeurs multimédia.

Avec ce procédé, il devient possible de fournir des capacités de stockage de 128 Go de mémoire Flash NAND en alignant simplement 16 modules de 8 Go gravés en 30 nm, soit la possibilité d'embarquer 80 films en résolution DVD ou 32000 fichiers MP3.


Le secret réside dans SaDPT

Pour obtenir ce résultat, Samsung a utilisé un nouveau procédé baptisé SaDPT ( Self-Aligned Double Patterning Technology ), représentant une évolution d'une autre technologie dévoilée l'an dernier et baptisée CTF ( Charge Trap Flash ) et permettant d'étendre le rôle de la lithographie conventionnelle en-dessous de la barrière physique limitative des 30 nm.

Samsung sadpt

Procédé SaDPT Samsung

Samsung pense pouvoir lancer la production de mémoire gravée en 30 nm dès 2009 en utilisant les équipements de photolithographie existants grâce à l'avantage des 30 brevets déposés pour son procédé SaDPT, ce qui évitera d'avoir à investir dans de coûteux nouveaux équipements de fabrication.

La même technologie sera appliquée pour concevoir des modules NAND 4 Go SLC ( Single Level Cell ), qui pourront aussi bien servir pour équiper des ordinateurs portables que des dispositifs de stockage, comme des caméscopes ou des serveurs d'entreprise.
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