Sharp RRAM : 100 fois plus rapide que la mémoire Flash

C'est le mois des annonces de nouveaux types de mémoire. Après la mémoire à changement de phase par IBM, la OneDRAM de Samsung, voici venir la RRAM ( Resistance Random Access Memory ) par le japonais Sharp Corporation.


La résistance pour coder l'information
Pas tout à fait inconnue, la RRAM est le fruit d'une recherche en collaboration avec l'Institut national des sciences et technologies industrielles avancées, une instance du gouvernement japonais. L'annonce est de principe puisque l'intégration des microcircuits et les technologies de fabrication font encore l'objet d'études, et la commercialisation n'est pas prévue à court terme.

Néanmoins, elle constitue une évolution dans le domaine des mémoires non volatiles, en faisant appel aux changements de résistance au sein d'un film d'oxyde métallique utilisé pour stocker l'information, offrant une faible consommation et une possibilité de débits élevés, jusqu'à 100 fois supérieurs à ceux de la mémoire Flash utilisée actuellement.


Encore à l'état d'ébauche
Cependant le communiqué indique que le procédé, s'il est prometteur, n'est pas encore finalisé. Sharp étudie plusieurs solutions pour mettre au point les composants nécessaires et est déjà parvenu à élaborer un schéma électrique simplifié faisant appel à une source d'énergie unique, au lieu d'avoir besoin de deux sources, l'une positive l'autre négative, qui étaient jusqu'à lors nécessaires pour les processus d'écriture et d'effacement des données.

Il reste cependant encore à miniaturiser l'ensemble avant d'envisager une commercialisation. Mais la RRAM aura l'avantage de pouvoir être produite sans grosses modifications des lignes de production existantes.