Toshiba NAND : gravure en moins de 25 nm pour 2012

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Reuters
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Selon la presse japonaise, Toshiba s'apprête à investir 15 milliards de yens pour mettre en place un site de production de mémoire NAND gravée en moins de 25 nm, qui pourrait démarrer dès 2012.

Toshiba nouveau logoLa course à la finesse de gravure est engagée entre les différents fabricants de semiconducteurs et le groupe japonais Toshiba a aussi ses projets ambitieux. Selon la presse locale, il prévoit de dépenser 15 milliards de yens ( environ 120 millions d'euros ) en commandes d'équipements pour de la gravure en dessous de 25 nm.

La société produit déjà de la mémoire Flash NAND en 43 et 32 nm et prévoit de fabriquer de la mémoire gravée en moins de 30 nm dès le second semestre 2010, mais il faudra  vraisemblablement attendre 2012 pour de la gravure en dessous de 25 nm.


Fourniture d'équipements chez ASML
C'est auprès du néerlandais ASML que Toshiba compte trouver les équipements de pointe nécessaires pour ce type de fabrication, et notamment un système de lithographie EUV ( Extreme Ultra Violet ) capable de dessiner les circuits à cette finesse de gravure sur les galettes de silicium.

Une telle finesse devrait permettre d'accroître encore la densité d'information stockable dans des composants toujours plus miniaturisés pour divers types de gadgets électroniques et pour les produits mobiles connectés, dont l'explosion des ventes est attendue pour ces prochaines années.

L'information a fait bondir le titre de Toshiba à la Bourse de Tokyo, prenant 3,5% alors que le segment évoluait de 0,8%, souligne Reuters.

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