Dans un contexte économique difficile, dans lequel le marché des semiconducteurs devrait connaître un recul des ventes en 2009 comme en 2008, particulièrement du côté des composants mémoire, le groupe japonais Toshiba annonce une première mondiale, celle de la production de mémoire Flash NAND gravée en 32 nm.
Les premiers échantillons concernent de la mémoire Flash NAND 4 Go ( 32 Gb ), la plus grande capacité disponible pour ce type de mémoire, tandis que des composants 2 Go ( 16 Gb ) gravés en 32 nm seront proposés à partir du mois de juillet au Japon.
Toshiba : la mémoire Flash NAND passe au 32 nm
Utilisant déjà les procédés de gravure en 43 nm, le passage au 32 nm permet de produire des éléments encore plus compacts, permettant de gagner en densité tout en miniaturisant un peu plus les composants. La mémoire Flash NAND 32 Gb sera principalement utilisée dans les cartes mémoires et les clés USB.
Cette transition du procédé de fabrication va permettre de mieux répondre aux usages toujours plus multimédia des téléphones portables et autres gadgets mobiles nécessitant de grandes capacités de stockage.
La production de masse de mémoire Flash 32 Gb débutera au mois de juillet 2009, soit, annonce Toshiba, deux mois avant son calendrier initial. Les composants Flash NAND 16 Gb seront quant à eux disponibles à partir du dernier trimestre 2009. Les puces seront produites sur le site Toshiba de Yokkaichi, au Japon.
Publié le
par Christian D.
Journaliste GNT spécialisé en mobilité / Ante-Geek des profondeurs du Web et d'ailleurs
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