Toshiba / SanDisk : Flash NAND MLC 8 Go gravée en 19 nm

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Quelques jours après l'annonce d'Intel et Micron sur de la mémoire Flash NAND gravée en 20 nm, le couple Toshiba / SanDisk annonce un module Flash NAND équivalent mais gravé en 19 nm.

Logo-SandiskEn fin de semaine dernière, Intel et Micron annonçait un module de mémoire Flash NAND MLC ( Multi Level Cell ) 8 Go gravé en 20 nm et bientôt produit par leur coentreprise IMFT. Il n'aura fallu que quelques jours pour que les concurrents Toshiba et SanDisk n'annoncent à leur tour un module Flash NAND MLC 8 Go mais cette fois gravé en 19 nm, passant ainsi au noeud de gravure inférieur.

Il s'agit d'un module X2, combinant donc 2 bits par cellule, dont la fabrication fait appel aux technologies de gravure les plus avancées et qui va permettre de proposer des modules mémoires encore plus compacts pour les produits mobiles et embarqués, à commencer par les tablettes tactiles et les smartphones.


Toujours plus compact

SanDisk iSSD bigSanDisk ajoute en outre qu'il sera en mesure de proposer des modules X3 ( 3 bits par cellule ) à partir du second semestre 2011. Ces nouveaux modules Flash gravés en 19 nm sont annoncés comme une première mondiale et les premiers échantillons seront livrés aux clients dès ce trimestre, pour une production en masse attendue dans la deuxième moitié de l'année.

Ces modules seront à la base de futurs disques SSD ( Solid State Drive ), notamment dans des formats ultra-compacts. SanDisk propose ainsi une gamme iSSD ( integrated SSD ) pas plus grande qu'un timbre-poste.

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