Alors que les premières puces gravées en 10 nm devraient faire leur apparition avant la fin de l'année, la bataille est déjà rude pour la génération suivante, qui permettra une gravure en 7 nm. Alors qu'Intel était le premier à se lancer dans les noeuds de gravure les plus bas, la proposition industrielle d'une gravure en 7 nm pourrait venir d'abord des fondeurs TSMC ou Samsung.
Et si Samsung pourrait de nouveau prendre les devants sur le 10 nm, comme le groupe l'avait fait sur le 14 nm, pour le passage au 7 nm, c'est TSMC qui pourrait offrir cette possibilité en premier.
Le fondeur annonce pouvoir démarrer une production en volume dès le premier trimestre 2018, constituant un calendrier resserré par rapport à la disponibilité de la gravure 10 nm sur le deuxième semestre 2016.
Simon Wang, responsable Business Development chez TSMC, a indiqué que les axes de croissance dans les semiconducteurs jusqu'en 2020 viendraient des smartphones (constituant la moitié de ses revenus), du HPC (High Performance Computing), de l'IoT (Internet des objets) et de l'électronique automobile.
Et déjà, l'étape suivante, à savoir la gravure en 5 nm, est évoquée avec l'usage de la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) et une phase pré-industrielle (Risk Production) espérée dès le premier semestre 2019, avant le lancement de la production en 2020.
