UMC annonce avoir produit une puce SRAM à 45 nm

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Le fondeur taiwanais vient d'annoncer une importante avancée technologique avec la mise au point d'une finesse de gravure de 45 nm et la mise en production d'une mémoire SRAM de taille inférieure à 0,25 micron carré.

Umc logoLe fondeur taiwanais vient d'annoncer une importante avancée technologique avec la mise au point d'une finesse de gravure de 45 nm et la mise en production d'une mémoire SRAM de taille inférieure à 0,25 micron carré. Pour réaliser cet exploit, les ingénieurs d’UMC ont exploité les dernières technologies et matériaux dont la lithographie par immersion, des diélectriques low-K, et des techniques améliorant la mobilité des électrons.


Lancement d'un pilote l’année prochaine
La réduction permanente de la finesse de gravure pose des défits aux fabricants de semiconducteurs, au niveau des timings, de l’intégrité des signaux, de la consommation électrique, des courants de fuite ou encore de la fiabilité. Le groupe prévoit de lancer une production pilote à 45 nm dans le courant de l’année prochaine avec un gain attendu de 50% sur la taille des modules SRAM et de 30% en termes de performances.


UMC en retard
Différence notable par rapport à son concurrent direct TSMC, UMC utilise des scanners de lithographie à immersion de 193 nm pour obtenir une finesse de gravure de 45 nm. TSMC a annoncé avoir produit une puce de test à 45 nm composée de dix couches métalliques avec des portes ayant une longueur inférieure à 26 nm. D'autres constructeurs, tels qu'IBM, Intel, Texas Instrument, Chartered Semiconductor, Samsung et Infineon ont récemment dévoilé des détails sur leurs procédés de fabrication à 45 nm, les 3 derniers ont aussi signé des accords de partenariat avec IBM pour déveloper cette nouvelle technologie.
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