Alors qu’il vient tout juste de fêter son centième anniversaire, IBM, l’un des pionniers de la micro-informatique, annonce une mémoire de stockage nouvelle génération réactive et endurante.
Les chercheurs du groupe IBM ont annoncé avoir mis au point une mémoire de stockage nouvelle génération en utilisant la technologie dite à changement de phase, qui consiste globalement à exploiter la variation de résistance dans un matériau. En fonction de la résistance, on stocke les combinaisons de bit 00, 01, 10 ou 11.
Ils sont en effet parvenus à une mémoire non volatile comme l’est la mémoire flash, c’est-à-dire ne nécessitant pas d’être alimentée pour stocker contrairement à la mémoire vive, avec des temps de latence divisés par 100 par rapport à la mémoire flash et un nombre de cycles de lecture / écriture qui se compte en millions et non pas en milliers comme avec la mémoire flash.
Une véritable révolution en somme dont pourraient profiter les ordinateurs personnels et les smartphones, avec un démarrage instantané et un accès instantané aux données, mais aussi le Cloud Computing, avec un accès plus rapide aux données.
Cerise sur le gâteau, le coût de fabrication de cette mémoire de stockage nouvelle génération serait relativement bas, à en croire les chercheurs.
On ne parle pas d’une exploitation à grande échelle pour le moment. Mais vivement en tout cas.
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