Un peu plus d’un an après avoir dévoilé une première mémoire flash NAND gravée en 25 nanomètres, la co-entreprise IM Flash Technologies, derrière laquelle on retrouve les groupes américains Intel et Micron, annonce la mise au point d'une première mémoire flash en 20 nanomètres cette fois-ci.
Avec cette nouvelle mémoire flash NAND, il sera possible d’offrir des modules mémoire de plus grande capacité du fait d'une plus grande densité. La puce MLC de 8 Go gravée en 20 nanomètres qui a été présentée occupe en effet une surface de 118 millimètres carrés, contre 167 millimètres pour une puce 8 Go en 25 nanomètres. Soit un gain de place de l'ordre de 30 % .
Mais il sera également question du même nombre de cycles d’écriture / effacement, pour une durée de vie équivalente à celle promise en 25 nanomètres. Et cela, avec une réduction sensible des coûts de production, qui devrait logiquement profiter au consommateur.
La taille d'une puce 8 Go en 34, 25 et 20 nanomètres ( cliquer pour agrandir )
La mémoire flash 20 nanomètres d'IM Flash Technologies semble prête pour une entrée en production de masse dès le second semestre 2011. Celle-ci pourrait ainsi se retrouver dans certains dispositifs SSD, dont profitent notamment les ordinateurs, vers fin 2011 / début 2012.
